Page 80 - НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ

80

Такий ефект пояснюється тим, що (за збереження інших чинників впливу

незмінними), кінетична енергія часточок SiC зростає зі збільшенням їх розмірів.

Завдяки цьому вони проникають в розплавлений метал на поверхні

оброблюваних сплавів під час лазерного модифікування їх поверхневих шарів

на більшу глибину.

3.1.5 Вплив підігрівання підкладки зі сплаву В95 перед лазерним

модифікуванням її поверхні часточками SiC на структуру отриманого шару

Очевидно, що поверхнева оксидна плівка на розплавленому

алюмінієвому сплаві та його висока в’язкість є головними чинниками, які

негативно впливають на товщину лазерно модифікованого шару та об’ємний

вміст часточок SiC у ньому. Швидкість руху часточок, доповнюючи цей

перелік чинників впливу, визначатиме підсумкову глибину проникнення

часточок SiC у розплав металу на поверхні підкладки.

Щоб врахувати зв’язок між в'язкістю η розплавленого на поверхні

підкладки металу та температурою Т, скористалися відомою залежністю [200]:
)
η К= exp (E RT (3.1)

де К – константа;

R – універсальна газова стала 8,31 Дж/(моль·К);

Е – енергія активації в’язкості, ккал/моль.

З температурою плавлення Т пл металів енергію активації Е пов’язує

залежність [201]:

Е 0,431 Т =  1,348 (3.2)
пл
В’язкість рідких металів при температурі їх плавлення (мПа·с)

розраховували за формулою [202]:
η = 5,7 10 − 6  (А Т пл ) 1/2 /V (3.3)
2/3
пл
де А – атомна маса, г/моль;

3
V – об'єм, м /моль.