Page 79 - НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ

79

60 740 Дж/см 70 1100 Дж/см

50 60
а б
40 50
 SiC , мм -1 30  SiC , мм -1 40

30
20
20
10
10
0 0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 0,25 0,5 0,75 1 1,25 1,5
l, мм l, мм

Рис. 3.8 Густина розподілу часточок SiC (ρ SiC) по товщині (l) лазерно

модифікованих шарів на сплаві В95, отриманих за використання лазерного

променя з погонною енергією 740 Дж/см (а) та 1100 Дж/см (б)

3.1.4 Вплив розміру розпилених часточок SiC на структуру лазерно

модифікованого сплаву

Важливим чинником впливу на властивості лазерно модифікованих шарів

є розміри використаних для розпилення часточок SiC. Встановили, що зі

збільшенням їх розмірів від 50 до 150 мкм товщина модифікованого шару

зростає від 0,75 до 1,5 мм, а їх об'ємний вміст у модифікованому шарі – від

16 до 20,5 об. % (рис. 3.9).

22 Рис. 3.9 Вплив розміру часточок SiC,
21 розпилених під час лазерного моди-

20
фікування поверхні сплаву В95 за
19 погонної енергії лазерного променя
C, % 18

17 740 Дж/см (витрати транспортувально-
16 го газу 3 л/хв) на їх об’ємний вміст в

15 отриманому лазерно модифікованому
50 100 150
d, мкм шарі