Page 78 - НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ

78

а б

г
в

Рис. 3.6 Структура лазерно модифікованих часточками SiC шарів на алю-

мінієвому сплаві В95, отриманих за використання лазерного променя з погон-

ною енергією 500 Дж/см (а), 740 Дж/см (б), 1100 Дж/см (в) та 1500 Дж/см (г)

Рис. 3.7 Зміна товщини (l)
1,6
лазерно модифікованих шарів на
1,4
розчинення сплаві В95 залежно від погонної
1,2
l, мм 1,0 енергії лазерного променя (Е пог)

0,8

0,6

400 600 800 1000 1200 1400
Е , Дж/см
пог

За погонної енергії 740 Дж/см рівномірний розподіл часточок SiC в

модифікованому шарі зберігався на глибину до 0,85 мм (рис. 3.8а), тоді як за

1100 Дж/см – до 1,1 мм (рис. 3.8б).