Page 77 - НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ

77

Рис. 3.5 Вплив витрат транспорту-
21
вального газу (аргону) (Q Ar) на
20
об’ємну частку часточок SiC (C SiC) в
19
C SiC , % 18 отриманих модифікованих шарах

17

16
2 3 4
Q , л/хв
Ar

За результатами кількісних оцінок об’ємного вмісту часточок SiC у

структурі лазерно модифікованого шару, отримали закономірність його зміни

від витрат транспортувального газу, використаного для модифікування

поверхневих шарів сплаву В95 (рис. 3.5).

Результати кількісних оцінок вмісту часточок SiC в модифікованих шарах

уможливили оптимізацію витрат транспортувального газу на рівні 3 л/хв для

отримання в модифікованому шарі сплаву максимальної об’ємної частки цих

включень.

3.1.3 Вплив погонної енергії лазерного променя на структуру лазерно

модифікованої поверхні алюмінієвого сплаву В95

Зі зростанням погонної енергії лазерного променя від 500 до 1100 Дж/см

товщина модифікованого шару збільшувалася від 0,75 до 1,5 мм (рис. 3.6, 3.7).

Об’ємний вміст часточок SiC у ньому також зростав. Проте за погонної енергії

понад 1100 Дж/см розпочиналося інтенсивне розчинення часточок SiC у

розплаві алюмінію, що супроводжувалося зниженням їх об’ємного вмісту в

модифікованому шарі (рис. 3.7).

Проведеними дослідженнями особливостей формування структури

лазерно модифікованих шарів обґрунтували вибір оптимальних рівнів погонної

енергії лазерного променю в діапазоні від 740 до 1100 Дж/см.