Page 75 - НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ

75

оптимальною продуктивністю їх розпилення є 5 г/хв, яка забезпечує найкраще

співвідношення між витратами розпилюваного порошку і його кількістю, що

втілюється в розплавлену лазерним променем поверхню сплаву, формуючи тим

самим структуру модифікованого шару (рис. 3.2).

3.1.2 Особливості структури лазерно модифікованого шару на

алюмінієвому сплаві залежно від витрат транспортувального газу

Витрати транспортувального газу (аргону) за одиницю часу значною

мірою визначають швидкість часточок SiC, при якій вони проникають у

розплавлений шар на поверхні алюмінієвого сплаву. Але крім цього, зі

збільшенням об’єму використаного транспортувального газу, розплавлений

шар на поверхні сплаву буде інтенсивніше охолоджуватися, що зменшуватиме

його рідкотекучість ускладнюючи тим самим проникнення часточок SiC в

глибину розплавленого шару.

Методом сегментації (розділ 2), враховуючи випадкове просторове

розташування часточок SiC в об’ємі модифікованих шарів, виявили, що
усереднені площі в двох перетинах є практично однаковими. Тому вважали, що

отримані значення відповідатимуть також і об’ємним часткам, що припадають
на часточки SiC у модифікованих шарах.

Виявлено, що зі збільшенням витрат транспортувального газу (аргону)
від 2 до 3 л/хв об’ємний вміст часточок SiC в модифікованому шарі зростав від

16 до 20,5 об. % (рис. 3.3), що зумовлено збільшенням їх швидкості в момент

проникнення в розплав (рис. 3.4). Крім цього на поверхні алюмінієвого сплаву

зазвичай формується тонка оксидна плівка, яка може стримувати проникнення

часточок SiC всередину розплаву. Подальше зростання витрат транспорту-

вального газу призупинить зростання їх об’ємного вмісту в модифікованому

шарі.