Page 83 - НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ

83

Аналізом особливостей формування мікроструктури лазерно

модифікованих шарів виявлено, що підігрів підкладки та збільшення енергії

лазерного променя інтенсифікує активну взаємодію часточок SiC із розплавом

алюмінію з утворенням голкоподібних часточок: Al 4C 3 та глобулярних

включень Al 4SiC 4 (рис. 3.13).

Рис. 3.13 Мікроструктура лазерно

модифікованого шару: 1 – часточки

SiC; 2 – глобулярні включення Al 4SiС 4;

3 – голкоподібні кристали Al 4С 3 на

межі розділу часточок SiC з

евтектикою

Рентгеноструктурний аналіз підтвердив, що за нижчих температур

о
підігріву підкладки (100 С) та меншої погонної енергії лазерного променя (740
Дж/см) в лазерно модифікованому шарі формуються переважно карбіди Al 4C 3

(рис. 3.14). Без підігріву підкладки та за погонної енергії лазерного променя

1100 Дж/см в модифікованих шарах формуються. в основному, карбіди

алюмінію Al 4SiC 4 (рис. 3.15).

Al
 Рис. 3.14 Рентгенограма лазерно
5000   SiC

 Al SiC 4 модифікованого шару, отриманого за
4
 Al C
4000 4 3
  підігріву підкладки зі сплаву В95
І. відн. од. 2000    100 С та за енергії лазерного променю
3000 о

1000    740 Дж/см

          



0
20 30 40 50 60 70 80 90
2  град.