Page 84 - НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
P. 84
Рис. 3.15 Рентгенограма лазерно
84
50 00 Al SiC 4 модифікованого шару, отриманого
Al
SiC
4
40 00
без підігріву підкладки зі сплаву В95
І, відн . од. 30 00 та за енергії лазерного променю
20 00
1100 Дж/см
10 00
0
20 30 40 50 60 70 80 90
2 град.
Металографічним та рентгеноспектральним аналізами в різних зонах
модифікованого шару по глибині від поверхні ідентифікували карбіди
алюмінію Al 4C 3 та Al 4SiС 4, які відрізнялися за морфологією та місцем
розташування в ньому (рис. 3.16).
Рис. 3.16 Зони лазерно модифіко-
I
ваного шару, які відповідають
вищій (І) та нижчій температурі
II розплаву (ІІ)
Можливість утворення обох типів часточок узгоджується з діаграмою
стану Al –SiC (рис. 3.17).
Рис. 3.17 Діаграма стану для системи
Al –SiC [71]