Page 84 - НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
P. 84

Рис.  3.15  Рентгенограма  лазерно
                                                                                                             84
                   50 00                           Al SiC 4   модифікованого  шару,  отриманого

                                                       Al
                                                     
                                                       SiC
                                                     
                                                         4
                   40 00
                                                                  без підігріву підкладки зі сплаву В95
                  І, відн   . од.  30 00                       та  за  енергії  лазерного  променю

                   20 00
                                                                 1100 Дж/см
                   10 00                          
                                                       
                                                 
                      0
                       20   30   40    50   60    70   80   90
                                        2 град.


                      Металографічним  та  рентгеноспектральним  аналізами  в  різних  зонах

               модифікованого  шару  по  глибині  від  поверхні  ідентифікували  карбіди

               алюмінію  Al 4C 3  та  Al 4SiС 4,  які  відрізнялися  за  морфологією  та  місцем

               розташування в ньому (рис. 3.16).


                                                                      Рис. 3.16 Зони лазерно модифіко-
                                                          I
                                                                      ваного  шару,  які  відповідають

                                                                      вищій  (І)  та  нижчій  температурі

                                                         II           розплаву (ІІ)








                      Можливість  утворення  обох  типів  часточок  узгоджується  з  діаграмою

               стану  Al –SiC (рис. 3.17).

                                                                Рис.  3.17  Діаграма  стану  для  системи

                                                                Al –SiC [71]
   79   80   81   82   83   84   85   86   87   88   89