Page 76 - НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ

76

а б

Рис. 3.3 Структура лазерно модифікованих шарів на сплаві В95,

отриманих за витрат транспортувального газу (аргону) 2 л/хв (а) та 3 л/хв (б)

Рис. 3.4 Залежність швидкості часто-
5,0
чок SiC (ʋ SiC), які транспортуються до
4,5 поверхні алюмінієвого сплаву, від
 SiC , м/с 4,0 витрат транспортувального газу

3,5
3,0 (аргону) (Q Ar)

2,5
2 3 4
Q , л/хв
Ar

Під час розпилення часточок SiC їх швидкості в різних частинах перерізу

газопорошкового струменя, суттєво відрізнялися. Максимальна їх швидкість

досягалася в середині газопорошкового струменя, а на його периферії

швидкість була на 10% нижчою.

Виявлено, що в процесі розпилення часточок SiC їх швидкість зростала

від 2,5 до 5 м/с при витратах транспортувального газу від 2 до 4 л/хв. Це

сприяло швидшому охолодженню поверхневого шару розплаву, зменшенню

його рідкотекучості та підвищенню міцності на розтяг поверхневої оксидної

плівки. Усі ці чинники гальмували проникнення часточок SiC крізь

охолоджений поверхневий шар розплаву в його глибину. Внаслідок цього за

витрат транспортувального газу 4 л/хв об’ємний вміст часточок SiC у

модифікованому шарі зменшився до 18 об.% (рис. 3.5) порівняно з 20,5 об. %,

які спостерігали за витрат транспортувального газу 3 л/хв (рис. 3.3б).