Page 74 - НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ

74

розплаву блокувала їх проникнення в глибші шари та створюючи їх градієнтний

розподіл у структурі лазерно модифікованих шарів.

а б

в г

Рис. 3.1 Характер розподілу часточок SiC в структурі лазерно

модифікованих шарів на алюмінієвому сплаві В95 залежно від витрат

розпиленого порошку: 1 г/хв (а), 3 г/хв (б), 5 г/хв (в), 7 г/хв (г)

Рис. 3.2 Залежність об’ємного вмісту
18
16 часточок SiC (C SiC) в лазерно
14 модифікованому шарі сплаву В95 від
С SiC ,% 12 витрат розпиленого порошку SiC

10
(V SiC)
8
6
1 2 3 4 5 6 7
V , г/хв
SiC

Проаналізувавши результати металографічних досліджень та визначивши

об’ємний вміст часточок SiC в модифікованому шарі встановили, що