Page 89 - НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
P. 89
89
Елемент Масові %
Al 62,22
O 37,13
Si 0,65
Разом 100,00
Рис. 3.24 Спектральний аналіз прошарку оксидів у структурі лазерно
модифікованого шару
3.1.6 Вплив коефіцієнту перекриття лазерних доріжок на структуру
лазерно модифікованих шарів на алюмінієвому сплаві В95
Під час лазерного модифікування поверхні часточками SiC неможливо
отримати модифікований шар з рівномірним розподілом часточок SiC на
достатньо великій площі реальних виробів без перекриття попередньої доріжки
наступною, оскільки ширина зони оброблення лазерним променем за один
прохід становить лише 3 мм. Водночас таке перекриття супроводжується
частковим плавленням поверхні вже модифікованого шару. Вплив такого
повторного оплавлення важко передбачити.
Панорама зміни структури лазерно модифікованого шару в поперечному
(рис. 3.25а) та повздовжньому (рис. 3.25б) напрямі відносно напряму
формування доріжок під час оброблення лазером за коефіцієнту перекриття
суміжних доріжок 50% виявила, що таке щільне перекриття забезпечило
достатньо високу рівномірність розподілу часточок SiC у структурі
модифікованого шару на глибину до 1,5 мм.
