Page 91 - НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ

91

повздовж них (табл. 3.2). На кожному зображенні була проаналізована однакова

2
-5
площа поверхні (S пов = 2.03∙10 м ). Кількість включень N для різних ділянок
поперечного перерізу відрізнялася приблизно на 1/3, а їх площа майже вдвічі.

Таблиця 3.2

Результати сегментації часточок SiC у зміцненому шарі в повздовжньому

напрямку руху лазерного променя

№ на рис. Параметри

-6
3.25б N S SiC∙10 , м 2 N/S пов, % S SiC /S пов, %

1 1218 2,61662 77,14 12,91

2 1079 2,374993 68,33 11,71

3 1143 2,390410 72,39 11,79

4 1207 2,697969 76,44 13,31

Очевидною була також регулярність зміни їх густини на шліфі у

поперечному напрямі відносно лазерних доріжок, що пов’язали з кроком їх
накладання під час модифікування поверхні. Подібна регулярність зміни

густини цих часточок (на повздовжньому відносно напрямку накладання
лазерних доріжок шліфі) менш очевидна, оскільки його площина перетинала

модифікований шар по лінії перекриття суміжних доріжок вздовж, умови для
формування структури були практично ідентичні.

Внаслідок лазерного модифікування часточками SiC поверхня сплаву В95

вкривається напівсферичними виступами (рис. 3.26), розміри яких залежать від

коефіцієнту перекриття суміжних доріжок. Під час проходження лазерного

променя поверхнею сплаву утворюються доріжки розплавленого металу, в

межах яких, після вдування часточок SiC та застигання, утворюються валики

закристалізованого переплавленого покриття. Внаслідок 50%-го перекриття

суміжних доріжок (рис. 3.26б) модифікована поверхня має меншу шорсткість

(R z = 20 мкм), аніж за 25%-го (R z = 30 мкм) (рис. 3.26а). Це спричинено