Page 90 - НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ

90

№1 №2 №3 №4

а

№1 №2 №3 №4

б

Рис. 3.25 Панорамні зображення мікроструктури лазерно модифікованого

часточками SiC попередньо підігрітого до 250С сплаву В95, одержані на попе-

речних (а) і повздовжніх (б) відносно напряму переміщення лазерного променя

(погонна енергія 740 Дж/см) шліфах за коефіцієнту перекриття суміжних

доріжок 50%

Методом сегментації (розділ 2) [188, 189] визначили, що густина

часточок SiC у структурі модифікованого шару на шліфах, зроблених впоперек

напряму накладання лазерних доріжок (табл. 3.1), дещо менша, ніж на шліфах

Таблиця 3.1

Результати сегментації часточок SiC у зміцненому шарі в поперечному

напрямку руху лазерного променя

№ на рис. Параметри

3.25а N S SiC∙10 , м 2 N/S пов, % S SiC /S пов, %
-6
1 1085 2,821785 68,71 13,92

2 1518 3,609954 96,14 17,81

3 1212 2,996432 76,76 14,78

4 12,33 2,928795 78,09 14,45