Page 87 - НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ

87

Можна припустити, що невелика кількість Si в зоні І пов’язана з тим, що

велика його кількість перебуває у сполуці Al 4SiС 4, в той час як в зоні ІІ – у

вільному стані.

Отже, попри незначну тривалість перебування (1…2 сек) часточок

карбіду SiС в розплаві, цього було достатньо для їх інтенсивної взаємодії з

розплавом алюмінію з утворенням часточок карбіду алюмінію різного складу,

залежно від температури в різних зонах розплаву модифікованого шару.

Аналізуючи лазерно модифіковані шари на сплаві В95, одержані за

погонної енергії до 740 Дж/см, виявили, що карбіди алюмінію з глобулярною

морфологією (тобто карбіди Al 4SiС 4) практично не утворювалися, проте

металографічним аналізом було виявлено карбіди Al 4C 3 з голкоподібною

морфологією (рис. 3.22).

Рис. 3.22 Структура лазерно

модифікованого шару на алюмі-
SiC
нієвому сплаві В95, сформованого за
погонної енергії до 740 Дж/см

Al 4C 3

Таким чином підтвердили, що за погонної енергії лазерного променя до
о
740 Дж/см, коли температура розплаву не перевищує 1200 С [73], у структурі

модифікованого шару утворюються лише карбіди алюмінію Al 4C 3. З
підвищенням температури розплаву понад 1200ºС (за використання режиму з

вищою погонною енергією лазерного променя, або внаслідок попереднього
підігріву підкладки) в структурі модифікованого шару утворюються два типи

карбідів алюмінію – Al 4C 3 і Al 4SiС 4. Карбіди Al 4C 3 розташовуються в глибшій

зоні – ближче до алюмінієвої підкладки, тоді як карбіди Al 4SiС 4

зосереджуються у верхній зоні модифікованого шару, де температура
о
перевищує 1200 С.