Page 125 - dyser_Stankevych

125

крива 1 – G = 1/2; крива 2 – G = 1/10; крива 3 – G = 1/100.

Залежність переміщень на поверхні шару B від віддалі до епіцентру

руйнування. На рис. 2.20 подано частотні залежності нормованих переміщень

u  h / B на поверхні шару B для різного співвідношення жорсткості матеріалів

компонент біматеріалу і для різної відстані r точки спостереження від епіцентру
B
руйнування радіуса a 0 , 25 h , розташованій на глибині d  5 , 0 h . Компоненти
B
B
2
біматеріалу мають однакову товщину h C  h B  0 , 1 .

а б

Рис. 2.20. Залежність нормованих значень переміщень на поверхні шару В від

хвильового числа для різної відстані точки спостереження від епіцентру

руйнування (крива 1 – r  , 0 25 h ; крива 2 – r  5 , 0 h ; крива 3 – r  h ;
B
B
B
крива 4 – r 10 h ) та різного співвідношення жорсткостей шару та
B
півпростору: а – G = 1/10; б – G = 10.

Із графіків видно, що за більшої жорсткості матеріалу шару B амплітуди

переміщень на його поверхні мають більше локальних максимумів (рис. 2.20, б),
ніж у випадком більшої жорсткості шару С (рис. 2.20, а). Вони зміщуються в