Page 121 - dyser_Stankevych

121

півпростору, супроводжується зменшенням амплітуд переміщень, зокрема, для

G  1 100 (крива 3) на рис. 2.15, а ця залежність стає практично лінійно спадною.

2.4. Поле переміщень на поверхнях біматеріалу з дископодібною тріщи-

ною в одній із його компонент

На рис. 2.16 зображено схему розташування тріщини посередині одного з

шарів біматеріалу.

Рис. 2.16. Схема розташування тріщини в шарі В біматеріалу.

Для отримання інтегрального подання для переміщень у виразі (2.22)

приймаємо

B
B
Z A  0, h A  0, Y 1A  Y 2A  1, d  d  h B 2.
1
2
Тоді, виконавши відповідні підстановки, отримаємо
Z B E C E (Z Y  Z Y )e d 1 B R 2 (B )  (Z Y  Z Y )e d 2 B R 2 (B )  

( ) B B 1A A 2A B 1A A 2A

Z E  ZE Y e  d 1 B R 2 ( B)  Z Y e  d 2 B R 2 ( B)  Z E ( E  e ) 1  d 1 B R 2 ( B)
 B C B B 1 A B 1 A  B C B .
Y 
Y 
Y
Y
Y 2 С Z C Z B 1 A 1 B Y 1 С Z B Z B 1 A 2 B Y 2 С Z C 1 B Y 1 С Z B 2 B
Y
Y
Інтегральне представлення для переміщень на поверхні біматеріалу набуває
остаточного вигляду
  ( ) ( )
(
u  C) ( r, k) 8 a 2  B J ( r)  d , (2.24)
B
1
1
0   ( )