Page 37 - НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ

37

великі часточки SiC в композит, проте він ставав схильним до розтріскування

та був пористим. В результаті його зносостійкість під час ковзання була

нижчою, ніж у покриттів, які містили дрібніші зміцнюючі часточки, отримані

методом попереднього нанесення порошку. В мікроструктурі покриття було

виявлено Al 4SiC 4, Al 4C 3 і Si. Подальшими дослідженнями [69] з’ясовано вплив

параметрів обробки на мікроструктуру та властивості покриттів. Виявлено, що

2
карбід алюмінію, що утворився за низької густини енергії (100–200 МДж/м ),
2
являє собою Al 4C 3, в той час як висока густина енергії (560 МДж/м ) забезпечує
вищі температури розплавленої ванни, спричиняючи утворення Al 4SiC 4

відповідно до діаграми стану Al-SiC. Випробуваннями композитних покриттів

AA6061–SiC на знос під час ковзання (навантаження 5 Н), виготовлених

методом попереднього нанесення порошку лазером із середньою твердістю

380 HV 0,1, виявили, що втрата маси покриттів була значно нижчою, ніж втрата

маси підкладки сплаву. Проте ступінь зносу та коефіцієнт зносу поверхонь не

оцінювали. Розподіл SiC в покриттях, отриманих при частковому перекритті

доріжок, був неоднорідним, при цьому ділянки що перекривалися були

збідненні часточками SiC, проте зносостійкість істотно не знижувалася.
Детальних досліджень механізмів ковзання або абразивного зносу в роботі не

проводилося.
Selvam зі співавторами [70], використовуючи цю ж методику, одержали

аналогічні покриття з твердістю 350 HV і 680 HV. Металографічним аналізом
модифікованих поверхонь показали, що часточки SiC повністю розчиняються в

розплаві пояснюючи тим самим високі значення твердості.

Vreeling зі співавторами [67] детально вивчили чинники, які можуть

впливати на характеристики поверхні композиту Al–SiC, одержаного методом

вдування порошку в зону лазерного оплавлення та показали, що глибина

впровадження часточок SiC більше залежить від температури ванни розплаву,

ніж від початкової їх швидкості. Це пов’язано з утворенням суцільної оксидної

плівки на поверхні ванни розплаву, яка перешкоджає проникненню часточок

SiC у нього. За вищих температур плівка частково розчиняється,