Page 106 - УДК
P. 106

106

                      Приріст тріщини визначали наступним чином


                                                  2s   2s   2s i 1 .                                 (2.6)
                                                            i
                                                      i
                      Глибину тріщини b обчислювали за формулою


                                              b    b i 1    p   s i  ,                             (2.7)
                                               i

                                          p   (b      b  ) / (s     s  ) .                           (2.8)
                                                  II     I        II     I

                      Відношення  довжини  осей  півеліптичної  тріщини  обчислювали  за

               формулою

                                       ( / )        ( / )    i 1   q   b i  ,                      (2.9)
                                        b a
                                                      b a
                                                i
                                        q  ( / )b a  II    ( / )b a  I  / (b  b I ) .              (2.10)
                                                                     II

                   2.6  Методика          електронномікроскопічних              досліджень        механізмів

                         деформування і руйнування


                      Фрактографічні  особливості  руйнування  зразків  досліджували  на

               сканівному  електронному  мікроскопі  Hitachi  S-2600N  та  EVO-40XVP  [188]  із

               можливістю  роботи  у  режимах  високого  вакууму,  низького  вакууму  та

               наднизького вакууму в комплекті з:

                     повністю безмасляною системою відкачки вакууму на базі форвакуумної

                        помпи та турбомолекулярної помпи високої продуктивності без масляних

                        ущільнень і підшипників. Швидкість відкачки камери на стандартному

                        зразку – 3 хвилини;

                     електронно-оптичною колоною для вольфрамового катоду;

                     детекторами:  вторинних  електронів  Эвернхарта-Торнлі  (SE);  4-ох

                        сегментним  детектором  відбитих  електронів  (BSD)  з  кріпленням  на

                        полюсному  наконечнику  (не  потребує  настройки  та  юстировки,  не

                        скорочує робочу відстань мікроскопу і постійно готовий до роботи, не

                        займає окремого порту в камері мікроскопу); вторинних електронів для

                        низького      вакууму       (VPSE);       детектором       поглинутого        струму;
   101   102   103   104   105   106   107   108   109   110   111