Page 114 - dyser_Stankevych

114

На рис. 2.9 показано частотні залежності нормованих переміщень на поверх-

ні композита, коли точка спостереження розташована на відстані r  0 , 2 h від
C

епіцентру руйнування.

а б

Рис. 2.9. Залежність нормованих значень переміщень на поверхні шару C у точці

спостереження r  0 , 2 h від хвильового числа:
C
а – крива 1 – G=2; крива 2 – G=10; крива 3 – G=100;

б – крива 1 – G=1/2; крива 2 – G=1/10; крива 3 – G=1/100.

Із графіків видно, що для випадку G 1 зростання жорсткості матеріалу шару

призводить до зменшення амплітуд переміщень (рис. 2.9, а). Для G 1 зростання

жорсткості матеріалу півпростору спочатку призводить до зменшення локальних

максимумів u / h , а потім – до зростання (рис. 2.9, б). Водночас відбувається

C
зміщення локальних максимумів амплітуд у сторону нижчих частот та звуження

їх частотних смуг.

На рис. 2.10 показано частотні залежності нормованих переміщень на
поверхні композита для випадку r 10 0 , h . Із графіків видно, що зростання
C
жорсткостей матеріалів як шару, так і півпростору супроводжується зміщенням