Page 138 - dyser_Stankevych
P. 138
138
3. Незалежно від того, на поверхні якого шару біматеріалу (шар+шар із трі-
щиною) розташована точка спостереження, зміна співвідношення жорсткостей
матеріалів шарів суттєво не впливає на максимуми амплітуд переміщень на по-
верхні композита. Якщо більшу жорсткість має матеріал шару без дефекту, то зі
зростанням його жорсткості відбувається зміщення локальних максимумів амплі-
туд переміщень у сторону нижчих частот зі звуженням їх частотної смуги. Зі зрос-
танням жорсткості матеріалу шару з дефектом ця особливість мало виражена.
За фіксованої частоти зміщення поверхонь тріщини, якщо точка спосте-
реження розташована на поверхні шару з дефектом, то амплітуди переміщень
досягають максимуму від епіцентру руйнування, що дорівнює половині товщини
бездефектного шару, а з віддаленням від нього набувають коливного характеру. Зі
зростанням жорсткості матеріалу шару з дефектом амплітуди переміщень
зростають, а зі зростанням жорсткості бездефектного шару – зменшуються. Так,
зростання жорсткості матеріалу шару з дефектом у 5 раз сприяє зростанню
максимуму амплітуди переміщень на 10%, а таке ж зростання жорсткості
бездефектного шару – його зменшенню на 7%.
Якщо точка спостереження розташована на поверхні бездефектного шару, то
амплітуди переміщень досягають максимуму на різних відстанях від епіцентру
руйнування, причому зі зростанням жорсткості матеріалу шару з дефектом вони
зменшуються та віддаляються від епіцентру, а зі зростанням жорсткості матеріалу
бездефектного шару – спочатку зменшуються, а потім зростають.
4. У трикомпонентному композиті (шар+шар+півпростір із тріщиною) зі зростан-
ням жорсткості матеріалу прошарку амплітуди переміщень на поверхні композита
зменшуються, водночас чітко виділяються їх локальні максимуми. Із віддаленням
точки спостереження від епіцентру руйнування амплітуди переміщень спочатку
зростають, а потім спадають.
За фіксованої частоти зміщення поверхонь тріщини амплітуди переміщень на
поверхні композита найбільші на відстані точки спостереження від епіцентру, що
дорівнює подвійній товщині верхнього шару. За подальшого віддалення від нього