Page 21 - НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ

21

ПЕРЕЛІК УМОВНИХ ПОЗНАЧЕНЬ

V n – продуктивність процесу;

ʋ SiC – швидкість часточок SiC, %;

Q Ar – витрати транспортувального газу (аргону), л/хв;

C SiC – об’ємний вміст часточок SiC в модифікованому шарі, %;

V SiC – витрата порошку, г/хв;

Е пог – погона енергія Дж/см;

l – товщина лазерно модифікованого шару, мм;

-1
ρ SiC – густина часточок SiC, мм ;
d SiC – розмір частинок SiC у модифікованому шарі;

.
µ – в’язкість, мПас;
Р к – руйнівне навантаження, кН;

γ к – критичний прогин,мм;

U – лінійний знос, мкм;

К п – коефіцієнт перекриття лазерних доріжок, %;

ω – відкрита поруватість, %;
HVOF – високошвидісне газополуменеве напилення;

DJH – Diamond Jet Hybrid gun;
PSCDV – плазмове напилення покриттів у динамічному вакуумі;

Н Меєром – мікротвердість, ГПа;
Е – модуль пружності ГПа;

ε – мікропластичність;

σ ІІ – напруження розтягу ІІ роду, ГПа