Page 103 - Microsoft Word - Soviak_PhD_Thesis_Version_fin

103

високоамплітудна ділянки охоплюють відносно вузький діапазон зміни ΔK і

характеризуються тим, що навіть незначне збільшення ΔK спричиняє суттєве

зростання швидкості росту втомної тріщини da / dN (на порядок і більше).

Рисунок 4.2 – Схематичне зображення діаграми циклічної тріщиностійкості

матеріалу [6, 36]

Середньо амплітудна ділянка або так звана ділянка Паріса (Paris) є

зазвичай похилою і має лінійний вигляд у подвійній логарифмічній системі

координат, що дає підстави для її аналітичного опису за допомогою степеневої

функції (рівняння Паріса (Paris) [6, 120]):

da n
  A   K , (4.1)
dN

де A і n – це експериментально визначені константи, що залежать від матеріалу

та умов випробувань.

Оскільки ділянка Паріса (Paris) охоплює основний діапазон зміни розмаху

КІН ΔK, залежність (4.1) дає змогу достатньо повно описати закономірності

росту втомної тріщини за різних умов випробувань. Тому діаграму росту втомної

тріщини (діаграму циклічної тріщиностійкості матеріалу) можна схематично

подати лінійною залежністю в діапазоні K th  K  K (рис. 4.2).
fc