Page 53 - РОЗДІЛ 1

53

2 N( x) J 2 S( x)   ( x)
F  S x – зумовлена наявністю полів розмагнечення; F  S( x) –
N 
x x 
0
зумовлена зміщенням доменної стінки на величину dx; J – намагнеченість
S

насичення; (xS ) – площа доменної стінки, що залежить від координати доменної

  ( x)
стінки х; N (x ) – розмагнечувальний чинник; – градієнт поверхневої
x 

густини енергії.

За умови N( x ) const внутрішні сили можна розділити на детерміновану F d

та випадкову складові F . Якщо структура кристала гомогенна, то основну роль
r

відіграє складова F і внутрішні напруження  виражають через  (K / A ) a 1/ 2 ;
 ef
K ef  k 1   ;  , – сталі коефіцієнти для даного кристала;  k 1 – константа

кристалографічної анізотропії;  – константа магнетострикції, а якщо гетерогенна

– за наявності дефектів зростає внесок складової, яку можна виразити у вигляді

S  ( x)
F   x  [147].


Під час руху доменної стінки детермінована складова сили змінюється

лінійно F ( x ) bx , де b  2NJ 2 S / x ; S – площа переміщуваної доменної стінки;
d S 0 0 0
а випадкова складова F (x )  K ( , ) x має вигляд стаціонарної випадкової функції
r
аргументу x ,  визначає закон розподілу цієї функції. Доведено, що за

пуасонівського розподілу дефектів і піків напружень у кристалі K ( , ) x –

нормальна функція [149].

Також у праці [147] виведено рівняння магнетного моменту феромагнетного

зразка під час СБ

m (t )  2 S 0 J S x (t ) , ( 1 . 1 1 )

де (tx ) – переміщення доменної стінки, та рівняння руху доменної стінки

d 2 x dx
m    bx  K ( , ) x  2 S J H ) (t , (1.12)
ef
dt 2 dt 0 S
де m – її ефективна маса.
ef
Модель із випадковим потенціалом. Мікромагнетні моделі добре описують