Page 101 - dysertaciyahembara
P. 101

а
                                                   K I     K ,                                      (4.2)
                                                        c
                                                                c I




                  Тут  K  (H )  – пороговий КІН;  K  – критичне значення КІН.
                          Ith                           c I


                         Тріщини,  розмір  яких  а   знаходиться  в  інтервалі  а              а   а ,  за
                                                                                                       c
                                                                                            0
                                                        e
                                                                                                 e
                  заданих  умов  експлуатації  можуть  рости.  Ріст  такої  тріщини  визначає
                  залишковий  ресурс  t  елемента конструкції, який оцінюється на підставі
                                            g

                  розв’язку рівняння





                                                dа e      v (K  ,C
                                                     dt       I   ),                                   (4.3)





                  за початкової та кінцевої умов:






                             t   0 a e   at   0    S 0   ;             t   t g  a e   at g    c ,   (4.4)




                  де ae – радіус рівновеликого за площею тріщини круга; функцію  (Kv                   I ,C )

                  одержуємо в рамках відповідних розрахункових моделей.



                         4.2.  Розрахункова  модель  зумовленого  воднем  росту  тріщин  в

                  металах за дії тривалого статичного навантаження





                         У  науці  були  спроби  побудувати  моделі  для  визначення  швидкості

                  росту тріщини. Цими питаннями, зокрема у Фізико-механічному інституті


                  ім. Г.В. Карпенка НАН України займалися В.В. Панасюк, О.Є. Андрейків,
                  В.С. Харін, О.І. Обухівський, О.В. Гембара, І.Я. Долінська та ін. [257-266].




                                                                                                         101
   96   97   98   99   100   101   102   103   104   105   106